Samsung планирует начать массовое производство V-NAND 9-го поколения

Samsung Electronics планирует начать массовое производство V-NAND 9-го поколения в конце этого месяца.
Новое поколение 3D-NAND-памяти Samsung будет содержать 290 активных слоев.
Увеличение производительности за счет увеличения плотности памяти может стать для Samsung способом снизить стоимость некоторых твердотельных накопителей.

Ключевой особенностью V-NAND 9-го поколения от Samsung является технология наложения строк друг на друга.
Увеличение количества слоев должно позволить Samsung увеличить плотность записи в своих устройствах 3D NAND.
Samsung планирует сохранить свои позиции на рынке флэш-памяти 3D NAND, представив устройства 3D NAND с еще большим количеством слоев.